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BCX51H6327XTSA1

BCX51H6327XTSA1

僅供參考

型號 BCX51H6327XTSA1
PNEDA編號 BCX51H6327XTSA1
描述 TRANSISTOR AF SOT89-4
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,496
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 16 - 一月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCX51H6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCX51H6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BCX51H6327XTSA1, BCX51H6327XTSA1數據表 (總頁數: 8, 大小: 520.94 KB)
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BCX51H6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 150mA, 2V
功率-最大2W
頻率-過渡125MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝PG-SOT89

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

50mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 10mA, 2V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

220mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 2V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 5A, 20A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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