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BCX55H6327XTSA1

BCX55H6327XTSA1

僅供參考

型號 BCX55H6327XTSA1
PNEDA編號 BCX55H6327XTSA1
描述 TRANSISTOR NPN SOT89
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,262
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCX55H6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCX55H6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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BCX55H6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 150mA, 2V
功率-最大2W
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝PG-SOT89

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500V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 50mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

60MHz

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1A, 1V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 10mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5000 @ 10A, 4V

功率-最大

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3A

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1A, 2V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 100mA, 5V

功率-最大

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