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BD17610STU

BD17610STU

僅供參考

型號 BD17610STU
PNEDA編號 BD17610STU
描述 TRANS PNP 45V 3A TO-126
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,186
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BD17610STU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BD17610STU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BD17610STU, BD17610STU數據表 (總頁數: 6, 大小: 158.37 KB)
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BD17610STU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic800mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce63 @ 150mA, 2V
功率-最大30W
頻率-過渡3MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-126-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

220mV @ 400mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 1A, 2V

功率-最大

830mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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安裝類型

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 125mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 250mA, 1V

功率-最大

25W

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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