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BD533J

BD533J

僅供參考

型號 BD533J
PNEDA編號 BD533J
描述 TRANS NPN 45V 8A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BD533J資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BD533J
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BD533J, BD533J數據表 (總頁數: 2, 大小: 91.3 KB)
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BD533J規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic800mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 2A, 2V
功率-最大50W
頻率-過渡12MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 150mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 500mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1A, 2V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

225mV @ 15mA, 750mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

1.3W

頻率-過渡

500MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 250mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 250mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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