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BD536

BD536

僅供參考

型號 BD536
PNEDA編號 BD536
描述 TRANS PNP 60V 8A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 5 - 一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BD536資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BD536
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BD536, BD536數據表 (總頁數: 11, 大小: 352.03 KB)
PDFBD537數據表 封面
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BD536規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic800mV @ 600mA, 6A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 2A, 2V
功率-最大50W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

800mW

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

功率-最大

450mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 30mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

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