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BF423ZL1G

BF423ZL1G

僅供參考

型號 BF423ZL1G
PNEDA編號 BF423ZL1G
描述 TRANS PNP 250V 0.5A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,136
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BF423ZL1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BF423ZL1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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PDFBF423ZL1G數據表 封面
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BF423ZL1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)250V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 2mA, 20mA
當前-集電極截止(最大值)10nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 25mA, 20V
功率-最大830mW
頻率-過渡60MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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2A

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 1A, 2V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

220MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 2mA, 10V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

170 @ 500mA, 10V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 10A, 3V

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