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BFG135AE6327XT

BFG135AE6327XT

僅供參考

型號 BFG135AE6327XT
PNEDA編號 BFG135AE6327XT
描述 RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFG135AE6327XT資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFG135AE6327XT
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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BFG135AE6327XT規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
頻率-過渡6GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益9dB ~ 14dB
功率-最大1W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 100mA, 8V
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝PG-SOT223-4

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz

增益

-

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 40mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120mA

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

22dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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增益

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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