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BFG67,235

BFG67,235

僅供參考

型號 BFG67,235
PNEDA編號 BFG67-235
描述 RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,480
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFG67資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFG67,235
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFG67, BFG67數據表 (總頁數: 14, 大小: 287.4 KB)
PDFBFG67數據表 封面
BFG67數據表 頁面 2 BFG67數據表 頁面 3 BFG67數據表 頁面 4 BFG67數據表 頁面 5 BFG67數據表 頁面 6 BFG67數據表 頁面 7 BFG67數據表 頁面 8 BFG67數據表 頁面 9 BFG67數據表 頁面 10 BFG67數據表 頁面 11

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BFG67規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)10V
頻率-過渡8GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益-
功率-最大380mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 15mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-253-4, TO-253AA
供應商設備包裝SOT-143B

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

增益

15dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 8mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7dB

功率-最大

58W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 160mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

工作溫度

200°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55AW

供應商設備包裝

55AW

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

1.09GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

6dB

功率-最大

2300W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

46A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M112

供應商設備包裝

M112

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制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V, 15V

頻率-過渡

8GHz, 5.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

增益

9.4dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

SOT-323

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