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BFL4004-1E

BFL4004-1E

僅供參考

型號 BFL4004-1E
PNEDA編號 BFL4004-1E
描述 MOSFET N-CH 800V 4.3A
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFL4004-1E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFL4004-1E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BFL4004-1E, BFL4004-1E數據表 (總頁數: 7, 大小: 271.84 KB)
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BFL4004-1E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.5Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds710pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta), 36W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F-3FS
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 53µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5260pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

580mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.8nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

46.1pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

510mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

X2-DFN1006-3

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 33µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1730pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2453pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

167W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 75W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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