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BFL4026-1E

BFL4026-1E

僅供參考

型號 BFL4026-1E
PNEDA編號 BFL4026-1E
描述 MOSFET N-CH 900V 3.5A
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,118
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFL4026-1E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFL4026-1E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BFL4026-1E, BFL4026-1E數據表 (總頁數: 7, 大小: 274.24 KB)
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BFL4026-1E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)900V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.6Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds650pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta), 35W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F-3FS
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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系列

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

DMT10H015LSS-13

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1871pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SO

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMN2075UDW-7

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

594.3pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SOT-363

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

SI7748DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

SkyFET®, TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3770pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.8W (Ta), 56W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 74W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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