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BFP182WH6327XTSA1

BFP182WH6327XTSA1

僅供參考

型號 BFP182WH6327XTSA1
PNEDA編號 BFP182WH6327XTSA1
描述 RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,246
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFP182WH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFP182WH6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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BFP182WH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡8GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益22dB
功率-最大250mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 10mA, 8V
當前-集電極(Ic)(最大值)35mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝PG-SOT343-4

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2.8dB ~ 4dB @ 5MHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 1mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

6.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

1.2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

54 @ 1mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

增益

15dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 8mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

增益

-

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 10mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

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