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BLF4G20LS-110B,112

BLF4G20LS-110B,112

僅供參考

型號 BLF4G20LS-110B,112
PNEDA編號 BLF4G20LS-110B-112
描述 FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,430
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BLF4G20LS-110B資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BLF4G20LS-110B,112
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
BLF4G20LS-110B, BLF4G20LS-110B數據表 (總頁數: 12, 大小: 109.97 KB)
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BLF4G20LS-110B規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.93GHz ~ 1.99GHz
增益13.4dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)12A
噪聲系數-
當前-測試650mA
功率-輸出100W
電壓-額定65V
包裝/箱SOT-502B
供應商設備包裝SOT502B

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當前-測試

10mA

功率-輸出

18dBm

電壓-額定

4V

包裝/箱

SOT-343F

供應商設備包裝

F4TSMM, M04

CGHV31500F

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電壓-測試

50V

額定電流(安培)

24A

噪聲系數

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當前-測試

500mA

功率-輸出

500W

電壓-額定

125V

包裝/箱

440217

供應商設備包裝

440217

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

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頻率

1.93GHz

增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

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當前-測試

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電壓-測試

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額定電流(安培)

30mA

噪聲系數

2.5dB

當前-測試

10mA

功率-輸出

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包裝/箱

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

16A

噪聲系數

-

當前-測試

400mA

功率-輸出

150W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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