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BLF6G10LS-200R,112

BLF6G10LS-200R,112

僅供參考

型號 BLF6G10LS-200R,112
PNEDA編號 BLF6G10LS-200R-112
描述 RF FET LDMOS 65V SOT502B
制造商 Ampleon
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BLF6G10LS-200R資源

品牌 Ampleon
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BLF6G10LS-200R,112
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
BLF6G10LS-200R, BLF6G10LS-200R數據表 (總頁數: 10, 大小: 98.39 KB)
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BLF6G10LS-200R規格

制造商Ampleon USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率-
增益-
電壓-測試28V
額定電流(安培)49A
噪聲系數-
當前-測試1.4A
功率-輸出40W
電壓-額定65V
包裝/箱SOT-502B
供應商設備包裝SOT502B

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當前-測試

350mA

功率-輸出

18W

電壓-額定

115V

包裝/箱

TO-272-4

供應商設備包裝

TO-272-4

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

860MHz

增益

22dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

350mA

功率-輸出

18W

電壓-額定

115V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

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增益

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電壓-測試

-

額定電流(安培)

-

噪聲系數

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當前-測試

-

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晶體管類型

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頻率

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增益

17dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

240mA

功率-輸出

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電壓-額定

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