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BLF6G27LS-100,118

BLF6G27LS-100,118

僅供參考

型號 BLF6G27LS-100,118
PNEDA編號 BLF6G27LS-100-118
描述 TRANS PWR LDMOS SOT502
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 30 - 二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BLF6G27LS-100資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BLF6G27LS-100,118
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
BLF6G27LS-100, BLF6G27LS-100數據表 (總頁數: 14, 大小: 299.22 KB)
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BLF6G27LS-100規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率2.5GHz ~ 2.7GHz
增益17dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)29A
噪聲系數-
當前-測試900mA
功率-輸出14W
電壓-額定65V
包裝/箱SOT-502A
供應商設備包裝LDMOST

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28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.4A

功率-輸出

40W

電壓-額定

66V

包裝/箱

NI-780S

供應商設備包裝

NI-780S

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

1.99GHz

增益

17.2dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.4A

功率-輸出

50W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-880

供應商設備包裝

NI-880

J310_D26Z

ON Semiconductor

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晶體管類型

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增益

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電壓-測試

10V

額定電流(安培)

60mA

噪聲系數

3dB

當前-測試

10mA

功率-輸出

-

電壓-額定

25V

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

720MHz ~ 960MHz

增益

17.9dB

電壓-測試

48V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

688mA

功率-輸出

107W

電壓-額定

105V

包裝/箱

OM-780-4L

供應商設備包裝

OM-780-4L

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

2.5GHz

增益

14.1dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

700mA

功率-輸出

50W

電壓-額定

65V

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供應商設備包裝

NI-1230-4LS2L

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