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BLF8G22LS-200V,112

BLF8G22LS-200V,112

僅供參考

型號 BLF8G22LS-200V,112
PNEDA編號 BLF8G22LS-200V-112
描述 RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B
制造商 Ampleon
單價 請求報價
庫存 4,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BLF8G22LS-200V資源

品牌 Ampleon
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BLF8G22LS-200V,112
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
BLF8G22LS-200V, BLF8G22LS-200V數據表 (總頁數: 16, 大小: 1,173.45 KB)
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BLF8G22LS-200V規格

制造商Ampleon USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率2.11GHz ~ 2.17GHz
增益19dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試2A
功率-輸出55W
電壓-額定65V
包裝/箱SOT-1244B
供應商設備包裝CDFM6

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制造商

Ampleon USA Inc.

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頻率

2.5GHz ~ 2.7GHz

增益

17.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

450mA

功率-輸出

12W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-1121E

供應商設備包裝

SOT-1121E

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

3.4GHz ~ 3.6GHz

增益

14dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

450mA

功率-輸出

8W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-400-240

供應商設備包裝

NI-400-240

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

N-Channel

頻率

2.17GHz

增益

18.3dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

700mA

功率-輸出

24W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-957A

供應商設備包裝

NI-780H-2L

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

1.88GHz

增益

19.6dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.8A

功率-輸出

50W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-780S-2L2LA

供應商設備包裝

NI-780S-2L2LA

PTFA191001EV4XWSA1

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.96GHz

增益

17dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

900mA

功率-輸出

44dBm

電壓-額定

65V

包裝/箱

2-Flatpack, Fin Leads

供應商設備包裝

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