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BLP7G22-10Z

BLP7G22-10Z

僅供參考

型號 BLP7G22-10Z
PNEDA編號 BLP7G22-10Z
描述 RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
制造商 Ampleon
單價 請求報價
庫存 5,040
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BLP7G22-10Z資源

品牌 Ampleon
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BLP7G22-10Z
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
BLP7G22-10Z, BLP7G22-10Z數據表 (總頁數: 15, 大小: 1,181.18 KB)
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BLP7G22-10Z規格

制造商Ampleon USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual), Common Source
頻率2.14GHz
增益16dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試110mA
功率-輸出2W
電壓-額定65V
包裝/箱12-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝12-HVSON (6x4)

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-

噪聲系數

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當前-測試

300mA

功率-輸出

30W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-400S

供應商設備包裝

NI-400S

制造商

Ampleon USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.3GHz ~ 2.5GHz

增益

18dB

電壓-測試

10V

額定電流(安培)

5µA

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

110W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-502A

供應商設備包裝

SOT502A

制造商

Ampleon USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

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增益

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電壓-測試

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噪聲系數

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當前-測試

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電壓-額定

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制造商

NXP USA Inc.

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晶體管類型

LDMOS

頻率

2.16GHz ~ 2.17GHz

增益

13.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.05A

功率-輸出

23W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-780S

供應商設備包裝

NI-780S

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

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頻率

-

增益

-

電壓-測試

-

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

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功率-輸出

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