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BLT50,115

BLT50,115

僅供參考

型號 BLT50,115
PNEDA編號 BLT50-115
描述 RF TRANS NPN 10V 470MHZ SOT223
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,750
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BLT50資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BLT50,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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BLT50規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)10V
頻率-過渡470MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大2W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 300mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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晶體管類型

NPN

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15V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz

增益

8.3dB

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 50mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

250mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

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CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

14dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

55V

頻率-過渡

960MHz ~ 1.215GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7.5dB

功率-最大

300W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 2A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

工作溫度

250°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

12GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

10dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

12.5dB ~ 19dB

功率-最大

580mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 30mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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