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BQ2026DBZR

BQ2026DBZR

僅供參考

型號 BQ2026DBZR
PNEDA編號 BQ2026DBZR
描述 IC EPROM 1.5K SGL WIRE SOT23-3
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 5,076
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BQ2026DBZR資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BQ2026DBZR
類別半導體內存IC內存

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BQ2026DBZR規格

制造商
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EPROM
技術EPROM - OTP
內存大小1.5K (6 pages x 32 bytes)
內存接口Single Wire
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.65V ~ 5.5V
工作溫度-20°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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內存大小

128Mb (32M x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.5V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

66-TSOP

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

*

內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

3.5µs

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

32-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

32-PDIP

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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