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BQ4010YMA-85

BQ4010YMA-85

僅供參考

型號 BQ4010YMA-85
PNEDA編號 BQ4010YMA-85
描述 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 4,410
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BQ4010YMA-85資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BQ4010YMA-85
類別半導體內存IC內存

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BQ4010YMA-85規格

制造商
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小64Kb (8K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁85ns
訪問時間85ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
供應商設備包裝28-DIP Module (18.42x37.72)

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內存類型

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內存格式

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內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

200ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

24-DIP (0.600", 15.24mm) Window

供應商設備包裝

24-DIP

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - DDR

內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

66-TSOP II

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

32-sTSOP I

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Rohm Semiconductor

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

1.125Mb (128K x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

9ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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