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BQ4010YMA-85N

BQ4010YMA-85N

僅供參考

型號 BQ4010YMA-85N
PNEDA編號 BQ4010YMA-85N
描述 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 8,964
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BQ4010YMA-85N資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BQ4010YMA-85N
類別半導體內存IC內存

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BQ4010YMA-85N規格

制造商
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小64Kb (8K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁85ns
訪問時間85ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
供應商設備包裝28-DIP Module (18.42x37.72)

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

1ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

供應商設備包裝

8-MSOP

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

14ns

訪問時間

6ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-VFBGA

供應商設備包裝

90-VFBGA (8x13)

AT28HC256-12JC

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

48-BGA (6x8)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

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內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

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