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BR24T02F-WGE2

BR24T02F-WGE2

僅供參考

型號 BR24T02F-WGE2
PNEDA編號 BR24T02F-WGE2
描述 IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8SOP
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,122
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR24T02F-WGE2資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR24T02F-WGE2
類別半導體內存IC內存
數據表
BR24T02F-WGE2, BR24T02F-WGE2數據表 (總頁數: 36, 大小: 2,581.58 KB)
PDFBR24T02-W數據表 封面
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BR24T02F-WGE2規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小2Kb (256 x 8)
內存接口I²C
時鐘頻率400kHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.6V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM

內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Toshiba Memory America, Inc.

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND (SLC)

內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

63-BGA

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

300µs, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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-40°C ~ 85°C (TA)

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