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BR25G256-3

BR25G256-3

僅供參考

型號 BR25G256-3
PNEDA編號 BR25G256-3
描述 IC EEPROM 256K SPI 20MHZ 8DIP
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,952
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR25G256-3資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR25G256-3
類別半導體內存IC內存
數據表
BR25G256-3, BR25G256-3數據表 (總頁數: 34, 大小: 2,223.04 KB)
PDFBR25G256-3數據表 封面
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BR25G256-3規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率20MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.6V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-DIP-T

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH

內存大小

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

200µs

訪問時間

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電壓-供電

2.65V ~ 3.3V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

13.5ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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