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BR25H020F-2CE2

BR25H020F-2CE2

僅供參考

型號 BR25H020F-2CE2
PNEDA編號 BR25H020F-2CE2
描述 IC EEPROM 2K SPI 10MHZ 8SOP
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,528
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR25H020F-2CE2資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR25H020F-2CE2
類別半導體內存IC內存
數據表
BR25H020F-2CE2, BR25H020F-2CE2數據表 (總頁數: 35, 大小: 1,121.04 KB)
PDFBR25H020FJ-2CE2數據表 封面
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BR25H020F-2CE2規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q100
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小2Kb (256 x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率10MHz
寫周期-字,頁4ms
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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內存接口

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時鐘頻率

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QUADP

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.4ns

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

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-40°C ~ 85°C (TA)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (16M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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