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BR93G66FV-3BGTE2

BR93G66FV-3BGTE2

僅供參考

型號 BR93G66FV-3BGTE2
PNEDA編號 BR93G66FV-3BGTE2
描述 MICROWIRE BUS 4KBIT(256X16BIT) E
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 19,440
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR93G66FV-3BGTE2資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR93G66FV-3BGTE2
類別半導體內存IC內存

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BR93G66FV-3BGTE2規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小4Kb (256 x 16)
內存接口SPI
時鐘頻率3MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-SSOPB

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內存類型

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內存格式

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內存大小

72Mb (4M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

450MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

70ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

28-TSOP

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

68-Flatpack

供應商設備包裝

68-FPACK

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

8Mb (256 Bytes x 4096 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

85MHz

寫周期-字,頁

8µs, 4ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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