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BR95080-RMN6TP

BR95080-RMN6TP

僅供參考

型號 BR95080-RMN6TP
PNEDA編號 BR95080-RMN6TP
描述 IC EEPROM 8K SPI 2MHZ 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR95080-RMN6TP資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR95080-RMN6TP
類別半導體內存IC內存
數據表
BR95080-RMN6TP, BR95080-RMN6TP數據表 (總頁數: 6, 大小: 320.11 KB)
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BR95080-RMN6TP規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小8Kb (1K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率2MHz
寫周期-字,頁10ms
訪問時間-
電壓-供電1.8V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-TSSOP

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH

內存大小

2Mb (256K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

120ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

32-PDIP

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

64-FBGA (11x13)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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