BSB012N03LX3 G
僅供參考
| 型號 | BSB012N03LX3 G |
| PNEDA編號 | BSB012N03LX3-G |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 4,662 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸) |
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BSB012N03LX3 G資源
| 品牌 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | BSB012N03LX3 G |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-單 |
| 數據表 |
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BSB012N03LX3 G規格
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 30V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 39A (Ta), 180A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 1.2mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2.2V @ 250µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 169nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 16900pF @ 15V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| 工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 供應商設備包裝 | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| 包裝/箱 | 3-WDSON |
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