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BSC016N06NSTATMA1

BSC016N06NSTATMA1

僅供參考

型號 BSC016N06NSTATMA1
PNEDA編號 BSC016N06NSTATMA1
描述 DIFFERENTIATED MOSFETS
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 40,146
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSC016N06NSTATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSC016N06NSTATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSC016N06NSTATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)31A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.3V @ 95µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs95nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6500pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Ta), 167W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TDSON-8 FL
包裝/箱8-PowerTDFN

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技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

740pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

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安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

86nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1920pF @ 100V

FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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