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BSC017N04NSGATMA1

BSC017N04NSGATMA1

僅供參考

型號 BSC017N04NSGATMA1
PNEDA編號 BSC017N04NSGATMA1
描述 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 38,490
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSC017N04NSGATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSC017N04NSGATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSC017N04NSGATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 85µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs108nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8800pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 139W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TDSON-8-1
包裝/箱8-PowerTDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 47A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3370pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta), 57.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 16µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

410pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 28W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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