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BSC039N06NSATMA1

BSC039N06NSATMA1

僅供參考

型號 BSC039N06NSATMA1
PNEDA編號 BSC039N06NSATMA1
描述 MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,516
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSC039N06NSATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSC039N06NSATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSC039N06NSATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)19A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.8V @ 36µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs27nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2000pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TDSON-8-6
包裝/箱8-PowerTDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5300pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

94W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

41W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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