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BSC050NE2LSATMA1

BSC050NE2LSATMA1

僅供參考

型號 BSC050NE2LSATMA1
PNEDA編號 BSC050NE2LSATMA1
描述 MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 256,812
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 5 - 十二月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSC050NE2LSATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSC050NE2LSATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSC050NE2LSATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)39A (Ta), 58A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.4nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds760pF @ 12V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 28W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TDSON-8-5
包裝/箱8-PowerTDFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

52A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.5nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

880pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

48.4W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 42A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2840pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+16V, -12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2660pF @ 12.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

41pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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