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BSC061N08NS5ATMA1

BSC061N08NS5ATMA1

僅供參考

型號 BSC061N08NS5ATMA1
PNEDA編號 BSC061N08NS5ATMA1
描述 MOSFET N-CH 80V 82A 8TDSON
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSC061N08NS5ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSC061N08NS5ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSC061N08NS5ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)82A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.1mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.8V @ 41µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2500pF @ 40V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TDSON-8-7
包裝/箱8-PowerTDFN

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

117mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

232pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.25Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.63nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

102pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6Ohm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 140W (Tc)

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FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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