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BSC080N03LSGATMA1

BSC080N03LSGATMA1

僅供參考

型號 BSC080N03LSGATMA1
PNEDA編號 BSC080N03LSGATMA1
描述 MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,384
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSC080N03LSGATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSC080N03LSGATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSC080N03LSGATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Ta), 53A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1700pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 35W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TDSON-8-5
包裝/箱8-PowerTDFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1880pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 300mA, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 20V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

2.52W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22.5mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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