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BSC098N10NS5ATMA1

BSC098N10NS5ATMA1

僅供參考

型號 BSC098N10NS5ATMA1
PNEDA編號 BSC098N10NS5ATMA1
描述 MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,670
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 2 - 三月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSC098N10NS5ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSC098N10NS5ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSC098N10NS5ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)60A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.8V @ 36µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs28nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2100pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TDSON-8-7
包裝/箱8-PowerTDFN

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

177nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 39µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 15A

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

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