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BSC200P03LSGAUMA1

BSC200P03LSGAUMA1

僅供參考

型號 BSC200P03LSGAUMA1
PNEDA編號 BSC200P03LSGAUMA1
描述 MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,888
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSC200P03LSGAUMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSC200P03LSGAUMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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BSC200P03LSGAUMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.9A (Ta), 12.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs48.5nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2430pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 63W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TDSON-8-1
包裝/箱8-PowerTDFN

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2550pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

85W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

145nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

480W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

135A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 81A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

81nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3913pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

74W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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