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BSD816SNL6327HTSA1

BSD816SNL6327HTSA1

僅供參考

型號 BSD816SNL6327HTSA1
PNEDA編號 BSD816SNL6327HTSA1
描述 MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
制造商 Infineon Technologies
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庫存 6,822
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 6 - 一月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSD816SNL6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSD816SNL6327HTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSD816SNL6327HTSA1, BSD816SNL6327HTSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 472.03 KB)
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BSD816SNL6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 2.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Vgs(th)(最大)@ ID950mV @ 3.7µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.6nC @ 2.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds180pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-SOT363-6
包裝/箱6-VSSOP, SC-88, SOT-363

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漏極至源極電壓(Vdss)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2435pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.2W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1970pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 800mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

600mW (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 26µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43pF @ 25V

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-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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