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BSF045N03MQ3 G

BSF045N03MQ3 G

僅供參考

型號 BSF045N03MQ3 G
PNEDA編號 BSF045N03MQ3-G
描述 MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSF045N03MQ3 G資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSF045N03MQ3 G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSF045N03MQ3 G, BSF045N03MQ3 G數據表 (總頁數: 11, 大小: 605.6 KB)
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BSF045N03MQ3 G規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)18A (Ta), 63A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs34nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2600pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝MG-WDSON-2, CanPAK M™
包裝/箱3-WDSON

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 310µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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