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BSH114,215

BSH114,215

僅供參考

型號 BSH114,215
PNEDA編號 BSH114-215
描述 MOSFET N-CH 100V 500MA SOT23
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 140,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSH114資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSH114,215
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BSH114, BSH114數據表 (總頁數: 14, 大小: 383.97 KB)
PDFBSH114數據表 封面
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BSH114規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)500mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs500mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.6nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds138pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)360mW (Ta), 830mW (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-236AB
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.44A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

750pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

330mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SC-89-6

包裝/箱

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FDH45N50F-F133

ON Semiconductor

制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

137nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6630pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

625W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247-3

包裝/箱

TO-247-3

制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

460mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

225nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

960W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

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FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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