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BSH205G2VL

BSH205G2VL

僅供參考

型號 BSH205G2VL
PNEDA編號 BSH205G2VL
描述 MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 7,740
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSH205G2VL資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSH205G2VL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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BSH205G2VL規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs170mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID950mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.5nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds418pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)480mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-236AB
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.7W (Ta), 39W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 26µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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