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BSL205NH6327XTSA1

BSL205NH6327XTSA1

僅供參考

型號 BSL205NH6327XTSA1
PNEDA編號 BSL205NH6327XTSA1
描述 MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSL205NH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSL205NH6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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BSL205NH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 11µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds419pF @ 10V
功率-最大500mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝PG-TSOP-6-6

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4507pF @ 25V

功率-最大

277W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

64mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.1A, 12.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 10.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

608pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

67mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

486pF @ 10V

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