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BSL306NH6327XTSA1

BSL306NH6327XTSA1

僅供參考

型號 BSL306NH6327XTSA1
PNEDA編號 BSL306NH6327XTSA1
描述 MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,876
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSL306NH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSL306NH6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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BSL306NH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs57mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 11µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.6nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds275pF @ 15V
功率-最大500mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝PG-TSOP-6-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1030pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

448pF @ 15V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2110pF @ 30V

功率-最大

1.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

255nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7290pF @ 25V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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