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BSL306NL6327HTSA1

BSL306NL6327HTSA1

僅供參考

型號 BSL306NL6327HTSA1
PNEDA編號 BSL306NL6327HTSA1
描述 MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSL306NL6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSL306NL6327HTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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BSL306NL6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs57mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 11µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.6nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds275pF @ 15V
功率-最大500mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝PG-TSOP-6-6

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A, 6.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17.4mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

605pF @ 15V

功率-最大

800mW, 810mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1430pF @ 25V

功率-最大

33W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount, Wettable Flank

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

67mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

408pF @ 50V

功率-最大

62.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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