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BSL316CH6327XTSA1

BSL316CH6327XTSA1

僅供參考

型號 BSL316CH6327XTSA1
PNEDA編號 BSL316CH6327XTSA1
描述 MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A TSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,844
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSL316CH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSL316CH6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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BSL316CH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型N and P-Channel Complementary
FET功能Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.4A, 1.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 3.7µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.6nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds282pF @ 15V
功率-最大500mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝PG-TSOP-6-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 100A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.55V @ 40mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

250nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7950pF @ 800V

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 10V

功率-最大

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1030pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

630mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 150mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.74nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12.9pF @ 12V

功率-最大

820mW

工作溫度

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