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BSM080D12P2C008

BSM080D12P2C008

僅供參考

型號 BSM080D12P2C008
PNEDA編號 BSM080D12P2C008
描述 SIC POWER MODULE-1200V-80A
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM080D12P2C008資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM080D12P2C008
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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BSM080D12P2C008規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 13.2mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds800pF @ 10V
功率-最大600W
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

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3.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 10V

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