BSM150GB120DN2HOSA1
僅供參考
| 型號 | BSM150GB120DN2HOSA1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA編號 | BSM150GB120DN2HOSA1 | ||||||||||||||||||
| 描述 | IGBT 2 MED POWER 62MM-1 | ||||||||||||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| 單價 |
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| 庫存 | 5,920 | ||||||||||||||||||
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 預計交貨 | 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* | ||||||||||||||||||
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BSM150GB120DN2HOSA1資源
| 品牌 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| 制造商零件編號 | BSM150GB120DN2HOSA1 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-IGBT-模塊 |
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BSM150GB120DN2HOSA1規格
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 系列 | - |
| IGBT類型 | - |
| 配置 | Half Bridge |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 1200V |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | 210A |
| 功率-最大 | 1250W |
| Vce（on）（Max）@ Vge，Ic | 3V @ 15V, 150A |
| 當前-集電極截止（最大值） | 2.8mA |
| 輸入電容（Cies）@ Vce | 11nF @ 25V |
| 輸入 | Standard |
| NTC熱敏電阻 | No |
| 工作溫度 | 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Chassis Mount |
| 包裝/箱 | Module |
| 供應商設備包裝 | Module |
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