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BSM15GD120DN2BOSA1

BSM15GD120DN2BOSA1

僅供參考

型號 BSM15GD120DN2BOSA1
PNEDA編號 BSM15GD120DN2BOSA1
描述 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM15GD120DN2BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM15GD120DN2BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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BSM15GD120DN2BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)25A
功率-最大145W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3V @ 15V, 15A
當前-集電極截止(最大值)500µA
輸入電容(Cies)@ Vce100pF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.44V @ 15V, 70A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.4nF @ 25V

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