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BSM200GD60DLCBOSA1

BSM200GD60DLCBOSA1

僅供參考

型號 BSM200GD60DLCBOSA1
PNEDA編號 BSM200GD60DLCBOSA1
描述 IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM200GD60DLCBOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM200GD60DLCBOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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BSM200GD60DLCBOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)226A
功率-最大700W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.45V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)500µA
輸入電容(Cies)@ Vce9nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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功率-最大

480W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

72A

功率-最大

350W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

95A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

功率-最大

480W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 40A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.15nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 100A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.43nF @ 25V

輸入

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NTC熱敏電阻

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