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BSM250D17P2E004

BSM250D17P2E004

僅供參考

型號 BSM250D17P2E004
PNEDA編號 BSM250D17P2E004
描述 HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,852
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM250D17P2E004資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM250D17P2E004
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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BSM250D17P2E004規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓(Vdss)1700V (1.7kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)250A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 66mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds30000pF @ 10V
功率-最大1800W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

475pF @ 16V

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6.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1430pF @ 10V

功率-最大

2.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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