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BSM50GP60GBOSA1

BSM50GP60GBOSA1

僅供參考

型號 BSM50GP60GBOSA1
PNEDA編號 BSM50GP60GBOSA1
描述 IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM50GP60GBOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM50GP60GBOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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BSM50GP60GBOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)70A
功率-最大250W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.55V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)500µA
輸入電容(Cies)@ Vce2.8nF @ 25V
輸入Three Phase Bridge Rectifier
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 200A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

18nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 60A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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2.45V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

27nF @ 25V

輸入

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