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BSO200N03

BSO200N03

僅供參考

型號 BSO200N03
PNEDA編號 BSO200N03
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,424
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSO200N03資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSO200N03
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
BSO200N03, BSO200N03數據表 (總頁數: 9, 大小: 640.46 KB)
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BSO200N03規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 13µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1010pF @ 15V
功率-最大1.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝PG-DSO-8

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

369pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 10V

功率-最大

2W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

225mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

75pF @ 15V

功率-最大

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Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

135mOhm @ 1.7A, 10V

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