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BSO203PNTMA1

BSO203PNTMA1

僅供參考

型號 BSO203PNTMA1
PNEDA編號 BSO203PNTMA1
描述 MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,228
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSO203PNTMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSO203PNTMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
BSO203PNTMA1, BSO203PNTMA1數據表 (總頁數: 8, 大小: 82.89 KB)
PDFBSO203PNTMA1數據表 封面
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BSO203PNTMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs21mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs48.6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2242pF @ 15V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝P-DSO-8

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.4A, 3.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

455pF @ 6V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 200mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

37.1pF @ 10V

功率-最大

450mW

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A, 4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 25V

功率-最大

2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

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